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Z28S12M50SNA是標(biāo)準(zhǔn)1/16磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流4.17A。峰值效率可達(dá)93%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用同步整流技術(shù)提高了電源效率； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28S05M50SNA是標(biāo)準(zhǔn)1/16磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓5V，輸出電流10A。峰值效率可達(dá)93%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用同步整流技術(shù)提高了電源效率； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28H50M500NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/2磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓50V，輸出電流10A。峰值效率可達(dá)95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。
Z28H24M600NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/2磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流25A。峰值效率可達(dá)95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。
Z28H12M600NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/2磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流50A。峰值效率可達(dá)95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。
Z24H28T500NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/2磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓28V，輸出電流17.9A。峰值效率可達(dá)96%，工作溫度范圍是：-40℃ ~ +100℃（殼溫）。
Z28H28M600NNB 是標(biāo)準(zhǔn) 1/2 磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 21.4A。 峰值效率可達(dá) 96%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率 MOS 管的電壓應(yīng)力，提高功率 MOS 管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號(hào)完成自動(dòng)均流并聯(lián)應(yīng)用，可應(yīng)用于高可靠性的冗余備份系統(tǒng)。 采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28Q24M330NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/4磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流13.8A。峰值效率可達(dá)95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號(hào)完成自動(dòng)均流并聯(lián)應(yīng)用，可應(yīng)用于高可靠性的冗余備份系統(tǒng)。
Z28Q12M330NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/4磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流27.5A。峰值效率可達(dá)95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性；
Z28Q05M300NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/4磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓5V，輸出電流60A。峰值效率可達(dá)94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性；
Z28Q28M330NNB 是標(biāo)準(zhǔn) 1/4 磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 11.8A。 峰值效率可達(dá) 95%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率 MOS 管的電壓應(yīng)力，提高功率 MOS 管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號(hào)完成自動(dòng)均流并聯(lián)應(yīng)用，可應(yīng)用于高可靠性的冗余備份系統(tǒng)。 采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28E24M160NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/8磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓24V，輸出電流6.7A。峰值效率可達(dá)94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號(hào)完成自動(dòng)均流并聯(lián)應(yīng)用，可應(yīng)用于高可靠性的冗余備份系統(tǒng)。 采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28E12M160NNB是標(biāo)準(zhǔn)1/8磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓12V，輸出電流13.3A。峰值效率可達(dá)94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率MOS管的電壓應(yīng)力，提高功率MOS管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號(hào)完成自動(dòng)均流并聯(lián)應(yīng)用，可應(yīng)用于高可靠性的冗余備份系統(tǒng)。 采用多層厚銅PCB與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
Z28E28M160NNB 是標(biāo)準(zhǔn) 1/8 磚單路隔離穩(wěn)壓輸出模塊，額定輸出電壓 28V，輸出電流 5.7A。峰值效率可達(dá) 94%，工作溫度范圍是：-55℃ ~ +100℃（殼溫）。 采用領(lǐng)先預(yù)偏值啟動(dòng)同步整流技術(shù)提高了電源效率和同步整流的可靠性； 采用有源鉗位吸收技術(shù)降低了功率 MOS 管的電壓應(yīng)力，提高功率 MOS 管的可靠性； 采用無光耦的電壓反饋環(huán)提高了環(huán)路的響應(yīng)速度與穩(wěn)定性； 采用主從模塊民主均流法，使能模塊能共享電流信號(hào)完成自動(dòng)均流并聯(lián)應(yīng)用，可應(yīng)用于高可靠性的冗余備份系統(tǒng)。 采用多層厚銅 PCB 與平面變壓器工藝提高了電源的功率密度； 采用鋁外殼灌封工藝提高了電源的抗振動(dòng)沖擊，耐鹽霧，耐高溫能力。
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